Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Serija
FemtoFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.04 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.64mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,811
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,981
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
€ 0,811
Each (In a Pack of 20) (be PVM)
€ 0,981
Each (In a Pack of 20) (su PVM)
20
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
20 - 20 | € 0,811 | € 16,21 |
40 - 80 | € 0,789 | € 15,77 |
100 - 480 | € 0,769 | € 15,37 |
500 - 980 | € 0,749 | € 14,97 |
1000+ | € 0,73 | € 14,60 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.1 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Serija
FemtoFET
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.04 nC @ 4.5 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
0.64mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas