Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Plotis
2mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,50
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,605
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,50
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,605
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 40 | € 0,50 | € 5,00 |
50 - 190 | € 0,374 | € 3,74 |
200 - 490 | € 0,284 | € 2,84 |
500+ | € 0,277 | € 2,77 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
42 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
2.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Plotis
2mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
0.8mm