N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin VSON-CLIP Texas Instruments CSD17308Q3T
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
28 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC
Plotis
3.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Serija
NexFET
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,168
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,203
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,168
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,203
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSON-CLIP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
16.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
28 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.4 nC
Plotis
3.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Serija
NexFET
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas