Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,647
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,783
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,647
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,783
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
VSONP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
17.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Plotis
5mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Produkto aprašymas