Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.6 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,436
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,528
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 0,436
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,528
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
2.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Plotis
5.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.6 nC @ 4.5 V
Aukštis
1.05mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas