Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Plotis
3.4mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,906
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,096
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,906
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 1,096
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,906 | € 9,06 |
100 - 240 | € 0,651 | € 6,51 |
250 - 490 | € 0,611 | € 6,11 |
500 - 740 | € 0,572 | € 5,72 |
750+ | € 0,563 | € 5,63 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Pakuotės tipas
SON
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
7.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.4V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +16 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Plotis
3.4mm
Transistor Material
Si
Forward Diode Voltage
1V
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.1mm
Serija
NexFET
Produkto aprašymas