Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
0.64mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 0 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.04mm
Transistor Material
Si
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,321
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,388
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,321
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,388
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,321 | € 3,21 |
20 - 40 | € 0,254 | € 2,54 |
50 - 90 | € 0,209 | € 2,09 |
100 - 240 | € 0,164 | € 1,64 |
250+ | € 0,162 | € 1,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.9 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
PICOSTAR
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
0.64mm
Typical Gate Charge @ Vgs
2 nC @ 0 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
1.04mm
Transistor Material
Si
Serija
FemtoFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
0.35mm
Produkto aprašymas