Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
DSBGA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.6 nC @ 0 V
Plotis
1.49mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
0.28mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,80
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,968
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,80
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,968
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,80 | € 8,00 |
20 - 40 | € 0,516 | € 5,16 |
50 - 90 | € 0,499 | € 4,99 |
100 - 240 | € 0,40 | € 4,00 |
250+ | € 0,358 | € 3,58 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
DSBGA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
1.9 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, +10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.6 nC @ 0 V
Plotis
1.49mm
Transistor Material
Si
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
0.28mm