Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
DSBGA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
1.65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.38mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,207
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,25
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
€ 0,207
Each (In a Pack of 10) (be PVM)
€ 0,25
Each (In a Pack of 10) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Pakuotės tipas
DSBGA
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
6
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
1.65 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
1.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Plotis
1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
0.38mm
Serija
NexFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas