Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
4.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.3 nC @ 4.5 V
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,037
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,045
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,037
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,045
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
28 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
31 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Ilgis
4.85mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12.3 nC @ 4.5 V
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
0.8mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V