Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.1 nC @ 5 V
Aukštis
1.1mm
PRICED TO CLEAR
Yes
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,339
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,41
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,339
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,41
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
1.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.1 nC @ 5 V
Aukštis
1.1mm
PRICED TO CLEAR
Yes