Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.8mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
2.3mm
€ 6,08
€ 0,243 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 7,36
€ 0,294 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

€ 6,08
€ 0,243 Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 7,36
€ 0,294 Each (In a Pack of 25) (su PVM)
Standartas
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
53 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
5.8mm
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
2.3mm