Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
2.3mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
6.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,659
Each (On a Reel of 1875) (be PVM)
€ 0,797
Each (On a Reel of 1875) (su PVM)
1875
€ 0,659
Each (On a Reel of 1875) (be PVM)
€ 0,797
Each (On a Reel of 1875) (su PVM)
1875
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
IPAK (TO-251)
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
10 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
39 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±30 V
Plotis
2.3mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.6mm
Aukštis
6.1mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V