Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.85mm
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.55mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,637
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,771
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,637
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,771
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
SOP
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
15 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V, 37 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
4.85mm
Plotis
3.9mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Aukštis
1.55mm