Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,366
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,443
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
€ 0,366
Each (In a Pack of 25) (be PVM)
€ 0,443
Each (In a Pack of 25) (su PVM)
25
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,366 | € 9,16 |
75 - 125 | € 0,317 | € 7,93 |
150 - 475 | € 0,277 | € 6,93 |
500+ | € 0,251 | € 6,27 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
Taiwan SemiconductorChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Plotis
5.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Aukštis
2.3mm
Forward Diode Voltage
1V