Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 22,09
€ 4,42 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 26,73
€ 5,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

€ 22,09
€ 4,42 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 26,73
€ 5,35 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
5

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
5 - 9 | € 4,42 |
10 - 24 | € 3,99 |
25 - 49 | € 3,56 |
50+ | € 3,42 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
75 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
84 nC @ 10 V
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
20.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-50 °C
Produkto aprašymas