Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 138,22
€ 4,608 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 167,25
€ 5,576 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

€ 138,22
€ 4,608 Each (In a Tube of 30) (be PVM)
€ 167,25
€ 5,576 Each (In a Tube of 30) (su PVM)
30

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
30 - 60 | € 4,608 | € 138,22 |
90 - 480 | € 3,705 | € 111,15 |
510 - 960 | € 3,278 | € 98,32 |
990 - 4980 | € 2,802 | € 84,08 |
5010+ | € 2,708 | € 81,22 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-247
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
87 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
15.75mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
5.15mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
20.15mm
Produkto aprašymas