Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
STripFET V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Plotis
1.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,159
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,192
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
€ 0,159
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 0,192
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
10
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Serija
STripFET V
Pakuotės tipas
SOT-23
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
350 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Plotis
1.75mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.3mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™ V, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.