Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,148
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,019
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 4,148
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 5,019
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 4,148 | € 8,30 |
10 - 18 | € 3,885 | € 7,77 |
20 - 48 | € 3,675 | € 7,35 |
50 - 98 | € 3,465 | € 6,93 |
100+ | € 3,308 | € 6,62 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
China