Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,888
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,888
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 3,494
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
15.75mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China