Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
290 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.3mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 57,95
€ 5,80 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 70,12
€ 7,02 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

€ 57,95
€ 5,80 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 70,12
€ 7,02 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
10

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
10 - 99 | € 5,80 |
100 - 499 | € 4,61 |
500 - 999 | € 4,13 |
1000+ | € 3,47 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
290 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
39 nC @ 10 V
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Aukštis
9.3mm
Produkto aprašymas