Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 72,50
€ 1,45 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 87,72
€ 1,754 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50

€ 72,50
€ 1,45 Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 87,72
€ 1,754 Each (In a Tube of 50) (su PVM)
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
50

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,45 | € 72,50 |
100 - 450 | € 1,15 | € 57,50 |
500 - 950 | € 0,947 | € 47,35 |
1000 - 4950 | € 0,795 | € 39,75 |
5000+ | € 0,747 | € 37,35 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Pakuotės tipas
TO-220FP
Serija
MDmesh, SuperMESH
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas