Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Ilgis
10.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.3mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250V to 650V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,098
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 3,098
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 5 | € 3,098 | € 15,49 |
10 - 95 | € 2,625 | € 13,12 |
100 - 495 | € 2,048 | € 10,24 |
500 - 995 | € 1,732 | € 8,66 |
1000+ | € 1,418 | € 7,09 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Serija
MDmesh, SuperMESH
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
750 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
50 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
4.6mm
Transistor Material
Si
Ilgis
10.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
9.3mm
Produkto aprašymas