Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Plotis
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,218
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,264
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
€ 0,218
Each (On a Reel of 4000) (be PVM)
€ 0,264
Each (On a Reel of 4000) (su PVM)
4000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Plotis
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas