Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Plotis
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,05
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,27
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
€ 1,05
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 1,27
Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
5 - 5 | € 1,05 | € 5,25 |
10 - 20 | € 0,936 | € 4,68 |
25 - 95 | € 0,887 | € 4,44 |
100 - 495 | € 0,644 | € 3,22 |
500+ | € 0,538 | € 2,69 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
3.3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.5mm
Plotis
3.5mm
Transistor Material
Si
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
1.8mm
Produkto aprašymas