Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 5 x 6 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
415 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,26
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,525
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
€ 1,26
Each (On a Reel of 3000) (be PVM)
€ 1,525
Each (On a Reel of 3000) (su PVM)
3000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
7 A
Maximum Drain Source Voltage
600 V
Pakuotės tipas
PowerFLAT 5 x 6 HV
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Maximum Drain Source Resistance
415 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
52 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 10 V
Aukštis
0.95mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China