Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Plotis
15.8mm
Transistor Material
Si
Aukštis
4.8mm
Produkto aprašymas
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,32
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 6,437
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
€ 5,32
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 6,437
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
Standartas
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 5,32 | € 10,64 |
10 - 18 | € 5,035 | € 10,07 |
20 - 48 | € 4,75 | € 9,50 |
50 - 98 | € 4,512 | € 9,02 |
100+ | € 4,275 | € 8,55 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1500 V
Serija
MDmesh
Pakuotės tipas
H2PAK-2
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
140 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
29.3 nC @ 10 V
Plotis
15.8mm
Transistor Material
Si
Aukštis
4.8mm
Produkto aprašymas