Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 3,098
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
€ 3,098
Each (In a Pack of 2) (be PVM)
€ 3,748
Each (In a Pack of 2) (su PVM)
2
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
2 - 8 | € 3,098 | € 6,20 |
10 - 18 | € 2,888 | € 5,78 |
20 - 48 | € 2,73 | € 5,46 |
50 - 98 | € 2,572 | € 5,14 |
100+ | € 2,468 | € 4,94 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China