Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,10
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,541
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
€ 2,10
Each (In a Tube of 50) (be PVM)
€ 2,541
Each (In a Tube of 50) (su PVM)
50
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,10 | € 105,00 |
100 - 450 | € 1,68 | € 84,00 |
500 - 950 | € 1,575 | € 78,75 |
1000 - 2450 | € 1,575 | € 78,75 |
2500+ | € 1,522 | € 76,12 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Pakuotės tipas
TO-220FP
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
16.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Kilmės šalis
China