Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.6mm
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Serija
STripFET II
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 2,048
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,478
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
€ 2,048
Each (In a Pack of 5) (be PVM)
€ 2,478
Each (In a Pack of 5) (su PVM)
5
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Pakuotė |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,048 | € 10,24 |
25 - 45 | € 1,628 | € 8,14 |
50+ | € 1,575 | € 7,88 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
17 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Typical Gate Charge @ Vgs
40 nC @ 5 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
6.6mm
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Serija
STripFET II
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C