Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 52,25
€ 2,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,22
€ 2,529 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

€ 52,25
€ 2,09 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (be PVM)
€ 63,22
€ 2,529 Už kiekviena vnt. (tiekiama riteje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Ritė)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
25 - 45 | € 2,09 | € 10,45 |
50 - 120 | € 1,90 | € 9,50 |
125 - 245 | € 1,71 | € 8,55 |
250+ | € 1,615 | € 8,08 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
6.6mm
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.4mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Produkto aprašymas