Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.2mm
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.4mm
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 201,75
€ 0,481 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 454,12
€ 0,582 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

€ 1 201,75
€ 0,481 Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 1 454,12
€ 0,582 Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
24 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
40 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-18 V, +18 V
Number of Elements per Chip
1
Plotis
6.2mm
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Transistor Material
Si
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
2.4mm
Produkto aprašymas