Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.4mm
Serija
STripFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,585
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,708
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
€ 0,585
Each (On a Reel of 2500) (be PVM)
€ 0,708
Each (On a Reel of 2500) (su PVM)
2500
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Pakuotės tipas
DPAK (TO-252)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
70 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Ilgis
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 10 V
Plotis
6.2mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Aukštis
2.4mm
Serija
STripFET
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C