Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.37mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,725
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5,717
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 4,725
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 5,717
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
53 A
Pakuotės tipas
D2PAK (TO-263)
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
250 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
95 nC @ 10 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Aukštis
4.37mm
Forward Diode Voltage
1.5V
Kilmės šalis
China