Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
4.37mm
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 1,47
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
€ 1,47
Each (On a Reel of 1000) (be PVM)
€ 1,779
Each (On a Reel of 1000) (su PVM)
1000
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Ritė |
---|---|---|
1000 - 1000 | € 1,47 | € 1 470,00 |
2000 - 4000 | € 1,365 | € 1 365,00 |
5000+ | € 1,312 | € 1 312,50 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Pakuotės tipas
D2PAK
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
230 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
130 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
20 nC @ 10 V
Plotis
9.35mm
Number of Elements per Chip
1
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Aukštis
4.37mm
Kilmės šalis
China