Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Pakuotės tipas
M174
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
389 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
24.89mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
26.67mm
Aukštis
4.11mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 82,425
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 99,734
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
€ 82,425
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 99,734
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Pakuotės tipas
M174
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
389 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
24.89mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
26.67mm
Aukštis
4.11mm
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, STMicroelectronics
The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz.