Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
H²PAK-7
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Kilmės šalis
China
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
Pasirinkite pakuotės tipą
Standartas
1

P.O.A.
STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Pasirinkite pakuotės tipą
Standartas
1

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Serija
SCT
Pakuotės tipas
H²PAK-7
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
7
Channel Mode
Enhancement
Transistor Material
SiC
Number of Elements per Chip
1
Kilmės šalis
China