Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Produkto aprašymas
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 18,22
€ 0,729 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 22,05
€ 0,882 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

€ 18,22
€ 0,729 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 22,05
€ 0,882 Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
Gamybinė pakuotė (Vamzdelis)
25

Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
25 - 95 | € 0,729 | € 3,64 |
100 - 245 | € 0,558 | € 2,79 |
250 - 495 | € 0,525 | € 2,63 |
500+ | € 0,492 | € 2,46 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Serija
STripFET
Pakuotės tipas
TO-220
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
75 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
4.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
31 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ilgis
10.4mm
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Aukštis
9.15mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Produkto aprašymas