Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-32
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 0,656
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 0,794
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
€ 0,656
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (be PVM)
€ 0,794
Už kiekviena vnt. (tiekiama tuboje) (su PVM)
10
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Vamzdelis |
---|---|---|
10 - 10 | € 0,656 | € 6,56 |
20 - 40 | € 0,605 | € 6,05 |
50 - 90 | € 0,554 | € 5,54 |
100 - 190 | € 0,504 | € 5,04 |
200+ | € 0,463 | € 4,63 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
3 A
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Pakuotės tipas
SOT-32
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Maximum Power Dissipation
12.5 W
Minimum DC Current Gain
100
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Kaiščių skaičius
3
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Matmenys
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Produkto aprašymas
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.