Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-18
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
313 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-3 V, +15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.84mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
N-Channel MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 12,81
Each (In a Tray of 30) (be PVM)
€ 15,50
Each (In a Tray of 30) (su PVM)
30
€ 12,81
Each (In a Tray of 30) (be PVM)
€ 15,50
Each (In a Tray of 30) (su PVM)
30
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina | Per Dėklas |
---|---|---|
30 - 30 | € 12,81 | € 384,30 |
60+ | € 12,18 | € 365,40 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
170 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Pakuotės tipas
TO-18
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
313 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-3 V, +15 V
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
5.84mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
5.33mm
Minimali darbinė temperatūra
-55 °C
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas