Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Transistor Material
Si
Serija
TetraFET
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 43,89
už 1 vnt. (be PVM)
€ 53,11
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 43,89
už 1 vnt. (be PVM)
€ 53,11
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 9 | € 43,89 |
10 - 19 | € 42,52 |
20+ | € 41,26 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3 A
Maximum Drain Source Voltage
125 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Transistor Material
Si
Serija
TetraFET
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom