Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.18mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 30,24
Each (In a Tray of 50) (be PVM)
€ 36,59
Each (In a Tray of 50) (su PVM)
50
€ 30,24
Each (In a Tray of 50) (be PVM)
€ 36,59
Each (In a Tray of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Number of Elements per Chip
1
Aukštis
2.18mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas