Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Ilgis
6.7mm
Aukštis
1.7mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 4,882
Each (In a Tray of 50) (be PVM)
€ 5,907
Each (In a Tray of 50) (su PVM)
50
€ 4,882
Each (In a Tray of 50) (be PVM)
€ 5,907
Each (In a Tray of 50) (su PVM)
50
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Ilgis
6.7mm
Aukštis
1.7mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas