Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Aukštis
1.7mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 5,25
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,35
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 5,25
už 1 vnt. (be PVM)
€ 6,35
už 1 vnt. (su PVM)
1
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
SOT-223
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+150 °C
Ilgis
6.7mm
Plotis
3.7mm
Transistor Material
Si
Aukštis
1.7mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas