Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Serija
TetraFET
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 29,92
už 1 vnt. (be PVM)
€ 36,20
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 29,92
už 1 vnt. (be PVM)
€ 36,20
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 24 | € 29,92 |
25 - 49 | € 28,88 |
50 - 99 | € 27,82 |
100 - 249 | € 27,30 |
250+ | € 26,78 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Maximum Power Dissipation
17.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Serija
TetraFET
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas