Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
DP
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
29 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
18.92mm
Aukštis
5.08mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 94,525
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 114,375
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
€ 94,525
Each (In a Tray of 25) (be PVM)
€ 114,375
Each (In a Tray of 25) (su PVM)
25
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
65 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
DP
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
3
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
29 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
18.92mm
Aukštis
5.08mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas