Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Pakuotės tipas
DR
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
5
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
438 W
Transistor Configuration
Common Source
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
10.16mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
34.03mm
Aukštis
5.08mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 281,40
Each (In a Tray of 20) (be PVM)
€ 340,494
Each (In a Tray of 20) (su PVM)
20
€ 281,40
Each (In a Tray of 20) (be PVM)
€ 340,494
Each (In a Tray of 20) (su PVM)
20
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Pakuotės tipas
DR
Tvirtinimo tipas
Screw Mount
Kaiščių skaičius
5
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
438 W
Transistor Configuration
Common Source
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Plotis
10.16mm
Number of Elements per Chip
2
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Transistor Material
Si
Ilgis
34.03mm
Aukštis
5.08mm
Serija
TetraFET
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas