Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Transistor Material
Si
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
RF MOSFET Transistors, Semelab
MOSFET Transistors, Semelab
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 37,80
už 1 vnt. (be PVM)
€ 45,74
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 37,80
už 1 vnt. (be PVM)
€ 45,74
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 1 | € 37,80 |
2 - 9 | € 36,96 |
10+ | € 35,91 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
70 V
Serija
TetraFET
Pakuotės tipas
SOIC
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Kaiščių skaičius
8
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
7V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+200 °C
Ilgis
4.06mm
Plotis
5.08mm
Transistor Material
Si
Aukštis
2.18mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas