Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
25 to 75mA
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
60 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Aukštis
1.02mm
Plotis
2.54mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.05mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 63,00
Each (In a Tray of 100) (be PVM)
€ 76,23
Each (In a Tray of 100) (su PVM)
100
€ 63,00
Each (In a Tray of 100) (be PVM)
€ 76,23
Each (In a Tray of 100) (su PVM)
100
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
SemelabChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
25 to 75mA
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Maximum Gate Source Voltage
+40 V
Maximum Drain Gate Voltage
40V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
60 Ω
Tvirtinimo tipas
Surface Mount
Pakuotės tipas
SOT-23
Kaiščių skaičius
3
Matmenys
3.05 x 2.54 x 1.02mm
Aukštis
1.02mm
Plotis
2.54mm
Minimali darbinė temperatūra
-65 °C
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Ilgis
3.05mm
Kilmės šalis
United Kingdom
Produkto aprašymas
N-channel JFET, Semikron
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.