Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
TO-247N
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
SiC
Ilgis
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
107 nC @ 18 V
Aukštis
21mm
Sandėlio informacija laikinai nepasiekiama.
Patikrinkite dar kartą.
€ 46,08
už 1 vnt. (be PVM)
€ 55,76
už 1 vnt. (su PVM)
1
€ 46,08
už 1 vnt. (be PVM)
€ 55,76
už 1 vnt. (su PVM)
1
Pirkti dideliais kiekiais
kiekis | Vieneto kaina |
---|---|
1 - 4 | € 46,08 |
5 - 9 | € 40,38 |
10 - 24 | € 39,33 |
25+ | € 38,38 |
Techniniai dokumentai
Specifikacijos
Markė
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
55 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Pakuotės tipas
TO-247N
Tvirtinimo tipas
Through Hole
Kaiščių skaičius
3
Maximum Drain Source Resistance
60 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.7V
Maximum Power Dissipation
165 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
22 V
Plotis
5mm
Number of Elements per Chip
1
Maksimali darbinė temperatūra
+175 °C
Transistor Material
SiC
Ilgis
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
107 nC @ 18 V
Aukštis
21mm